1 Vishay パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 2.5 A 500 V
- RS品番:
- 180-8659
- メーカー型番:
- IRF820ASPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-8659
- メーカー型番:
- IRF820ASPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最大許容損失Pd | 50W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 長さ | 2.79mm | |
| 幅 | 10.67 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC | ||
最大許容損失Pd 50W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
長さ 2.79mm | ||
幅 10.67 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay IRF820ASは、500 Vのドレイン-ソース(Vds)電圧を備えたNチャンネルパワーMOSFETです。ゲート-ソース電圧(VGS)は30 Vです。パッケージはD2PAK（TO-263）とI2PAK（TO-262）がある。ドレイン・ソース間抵抗(RDS.)は10VGSで3Ωです。最大ドレイン電流: 17 A
ゲート電荷量Qgが低いため、駆動要件がシンプル
ゲート、アバランシェ、ダイナミックdV/dt耐性が向上
完全に特性化されたキャパシタンスとアバランシェ電圧・電流