1 Vishay パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 5 A 500 V, 3-Pin, IRF830ALPBF
- RS品番:
- 180-8307
- メーカー型番:
- IRF830ALPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ¥242.12 | ¥12,106 |
| 250 - 450 | ¥235.14 | ¥11,757 |
| 500 - 1200 | ¥222.70 | ¥11,135 |
| 1250 - 2450 | ¥216.54 | ¥10,827 |
| 2500 + | ¥209.52 | ¥10,476 |
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- RS品番:
- 180-8307
- メーカー型番:
- IRF830ALPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 最大許容損失Pd | 74W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 長さ | 9.65mm | |
| 幅 | 10.67 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
最大許容損失Pd 74W | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
高さ 4.83mm | ||
長さ 9.65mm | ||
幅 10.67 mm | ||
規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
ビシェイMOSFET
Vishay MOSFETはNチャンネル、TO-263-3パッケージで、ドレイン-ソース間電圧が500V、最大ゲート-ソース間電圧が30Vの新時代の製品です。ゲートソース電圧10 Vで1.4モームのドレインソース抵抗を備えています。MOSFETの最大消費電力は74 Wです。この製品は、スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されています。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。
特長
• 完全に特性化されたキャパシタンスとアバランシェ電圧・電流
• ハロゲンフリー
• ゲート、アバランシェ、ダイナミックdV/dtの改善
• 鉛(Pb)フリーコンポーネント
• ゲート電荷量Qgが低いため、駆動要件がシンプル
• 動作温度範囲: -55 → 150 °C
• トレンチFETパワーMOSFET
用途
• 高速電力スイッチング
• スイッチモード電源(SMPS)
• 無停電電源
