Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル, シングル, 500 V, 5 A, 1.4 Ω, 24 nC, 3ピン, パッケージ：TO-262

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥2,799.00

(税抜)

￥3,078.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 360 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
5 - 5￥559.80￥2,799
10 +￥550.40￥2,752

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
180-8670
メーカー型番:
IRF830ALPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

TO-262

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

順方向電圧 Vf

1.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

74W

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

シングル

幅

10.67mm

規格 / 承認

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

長さ

9.65mm

高さ

4.83mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay MOSFET は、 N チャンネルの TO-263-3 パッケージに収められた新しいエージング製品で、ドレインソース電圧が 500 V 、最大ゲートソース電圧が 30 V です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、 1.4 mhm のドレインソース抵抗があります。MOSFET の最大消費電力は 74 W です。 この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•完全特徴の静電容量、アバランシェ電圧、電流

• ハロゲンフリー

•ゲート、アバランシェ、ダイナミック dV/dt の改善

•鉛（ Pb ）フリーコンポーネント

•ゲート電荷 Qg が低いため、ドライブ要件がシンプルになります

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•高速電源スイッチング

•スイッチモード電源（ SMPS ）

• 無停電電源装置

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。