Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, シングル, 500 V, 5 A, 1.4 Ω, 24 nC, 3ピン, パッケージ：TO-262
- RS品番:
- 180-8670
- メーカー型番:
- IRF830ALPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-8670
- メーカー型番:
- IRF830ALPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| パッケージ型式 | TO-262 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 最大許容損失Pd | 74W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 幅 | 10.67mm | |
| 長さ | 9.65mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
パッケージ型式 TO-262 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
最大許容損失Pd 74W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
幅 10.67mm | ||
長さ 9.65mm | ||
高さ 4.83mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
VishayパワーMOSFET、500 Vドレイン‐ソース電圧、5 A連続ドレイン電流 - IRF830ALPBF
このパワーMOSFETは、電子システムの高電圧スイッチングおよび電力変換用に設計されたシングルNチャンネルトランジスタです。TO-262形式でパッケージ化され、産業および商業環境において、高いドレイン-ソース間電圧容量と適度な連続電流処理を必要とする回路向けのコンパクトなスイッチングエレメントとして機能します。
特長および利点：
• 500Vのドレインソース間定格により、高電圧用途に対応
• 5Aの連続ドレイン電流により、安定した電力供給をサポート
• 1.4Ω Rds(on)により、低電流設計での導通損失を低減
• 24nCの総ゲート電荷により、より高速なゲートトランジションを実現
• ±30 Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 74Wの消費電力容量により、負荷時の熱ヘッドルームを実現
• 5Aの連続ドレイン電流により、安定した電力供給をサポート
• 1.4Ω Rds(on)により、低電流設計での導通損失を低減
• 24nCの総ゲート電荷により、より高速なゲートトランジションを実現
• ±30 Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 74Wの消費電力容量により、負荷時の熱ヘッドルームを実現
用途
• オフラインスイッチング電源に最適
• 高電圧モータードライブフロントエンドに最適
• 高速スイッチングを必要とするパルスコンバータと併用
• 産業用ランプおよびヒーター制御に使用可能
• 電力調整および補助電源に最適
• 高電圧モータードライブフロントエンドに最適
• 高速スイッチングを必要とするパルスコンバータと併用
• 産業用ランプおよびヒーター制御に使用可能
• 電力調整および補助電源に最適
このデバイスは、動作中にどのような極端な熱に耐えることができますか?
-55°C～150°Cの範囲で動作し、低温スタートと負荷下での高いジャンクション温度に対応します。
チップにはどのくらいのディスクリートトランジスタ素子がありますか?
この半導体は、チップあたり単一の素子を含み、回路設計に単一のスイッチングチャンネルを提供します。
どのような環境および材料基準が製造に反映されていますか?
このコンポーネントは、RoHS 2002/95/ECおよびIEC 61249-2-21の材料および物質規格に適合しています。
ダイオード伝導イベントでの標準的な順方向電圧は何ですか?
本体ダイオードは、伝導時に約1.5Vの順方向電圧を発揮します。
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