1 Vishay MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 2.4 A 50 V, 4-Pin パッケージHVMDIP
- RS品番:
- 180-8673
- メーカー型番:
- IRFD020PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥1,840.00
(税抜)
￥2,024.00
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 90 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | ￥368.00 | ￥1,840 |
| 25 - 45 | ￥333.60 | ￥1,668 |
| 50 - 60 | ￥300.80 | ￥1,504 |
| 65 - 75 | ￥266.40 | ￥1,332 |
| 80 + | ￥233.60 | ￥1,168 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 180-8673
- メーカー型番:
- IRFD020PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 50V | |
| パッケージ型式 | HVMDIP | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.1Ω | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最大許容損失Pd | 1W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 0.425 in | |
| 規格 / 承認 | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| 高さ | 0.330in | |
| 長さ | 0.29in | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 50V | ||
パッケージ型式 HVMDIP | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.1Ω | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
最大許容損失Pd 1W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 0.425 in | ||
規格 / 承認 RoHS Directive 2002/95/EC | ||
高さ 0.330in | ||
長さ 0.29in | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- PH
ビシェイMOSFET
Vishay MOSFETはNチャンネル、HVMDIP-4パッケージで、ドレイン-ソース間電圧が50V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は100mΩである。MOSFETの最大消費電力は1Wである。この製品は、スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されています。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。
特長
• コンパクト、エンドスタック可能
• パラレリングの容易さ
• 優れた温度安定性
• 高速スイッチング
• 自動挿入の場合
• 鉛フリー部品
• 動作温度範囲 -55°C～150°C
用途
• バッテリ充電器
• インバータ
• 電源
• スイッチング電源（SMPS）