1 Vishay MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 2.4 A 50 V, 4-Pin, IRFD020PBF パッケージHVMDIP
- RS品番:
- 180-8317
- メーカー型番:
- IRFD020PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-8317
- メーカー型番:
- IRFD020PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 50V | |
| パッケージ型式 | HVMDIP | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.1Ω | |
| 最大許容損失Pd | 1W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 規格 / 承認 | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| 幅 | 0.425 in | |
| 長さ | 0.29in | |
| 高さ | 0.330in | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 50V | ||
パッケージ型式 HVMDIP | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.1Ω | ||
最大許容損失Pd 1W | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
規格 / 承認 RoHS Directive 2002/95/EC | ||
幅 0.425 in | ||
長さ 0.29in | ||
高さ 0.330in | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- PH
ビシェイMOSFET
Vishay MOSFETはNチャンネル、HVMDIP-4パッケージで、ドレイン-ソース間電圧が50V、最大ゲート-ソース間電圧が20Vの新時代の製品です。ゲート・ソース間電圧が10Vのときのドレイン・ソース間抵抗は100mΩである。MOSFETの最大消費電力は1Wである。この製品は、スイッチング損失と導通損失を低減するために最適化されています。MOSFETは、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率と長く生産的な寿命を提供します。
特長
• コンパクト、エンドスタック可能
• パラレリングの容易さ
• 優れた温度安定性
• 高速スイッチング
• 自動挿入の場合
• 鉛フリー部品
• 動作温度範囲 -55°C~150°C
用途
• バッテリ充電器
• インバータ
• 電源
• スイッチング電源(SMPS)
