Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル, シングル, 200 V, -0.4 A, 3 Ω, 8.9 nC, 4ピン, パッケージ：HVMDIP
- RS品番:
- 180-8628
- メーカー型番:
- IRFD9210PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-8628
- メーカー型番:
- IRFD9210PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -0.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | HVMDIP | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3Ω | |
| 最大許容損失Pd | 1W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 8.38mm | |
| 長さ | 10.79mm | |
| 幅 | 5mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS 2002/95/EC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id -0.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 HVMDIP | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω | ||
最大許容損失Pd 1W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.9nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 8.38mm | ||
長さ 10.79mm | ||
幅 5mm | ||
規格 / 承認 RoHS 2002/95/EC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- PH
Vishay IRFD9210は、ドレイン・ソース間電圧(Vds)が-200V、ゲート・ソース間電圧(VGS)が20VのPチャンネル・パワーMOSFETです。HVMDIPパッケージを搭載している。ドレイン・ソース間抵抗(RDS.)は10VGSで3Ωです。
ダイナミックdV/dt定格
反復雪崩の評価
自動挿入の場合
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