Vishay パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 11 A 500 V, IRFS11N50APBF パッケージTO-263
- RS品番:
- 180-8783
- メーカー型番:
- IRFS11N50APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-8783
- メーカー型番:
- IRFS11N50APBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.52Ω | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最大許容損失Pd | 170W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.52Ω | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 52nC | ||
最大許容損失Pd 170W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay
Vishay MOSFET は、 N チャンネルの TO-263-3 パッケージに収められた新しいエージング製品で、ドレインソース電圧が 500 V 、最大ゲートソース電圧が 30 V です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 520 mhm です。MOSFET の最大消費電力は 170 W です。 この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
•有効な COSS が指定されている
•完全特徴の静電容量、アバランシェ電圧、電流
•ハロゲンフリーおよび鉛フリーのコンポーネント
•ゲート、アバランシェ、ダイナミック dV/dt の改善
•ゲート電荷 Qg が低いため、ドライブ要件がシンプルになります
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
用途
•高速電源スイッチング
•スイッチモード電源（ SMPS ）
• 無停電電源装置