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	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN, タイプP
	最大連続ドレイン電流Id 4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 TSOT
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 160mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min 150°C
	最大許容損失Pd 1.1W
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	順方向電圧 Vf 0.7V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.7nC
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成デュアル
	長さ 3mm
	幅 1.7 mm
	規格 / 承認 RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	高さ 0.9mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

この新世代MOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

低オン抵抗

低入力静電容量

高速スイッチング速度

低入出力リーク

完全に鉛フリー

ハロゲンフリー、アンチモンフリー。「グリーン」デバイスです。

用途

バックライト

DC-DCコンバータ

パワー管理機能

2 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプN, タイプPチャンネル, 4 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージTSOT

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