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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	74 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	80 V
	パッケージタイプ	DFN
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗	11.4 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	4V
	最低ゲートしきい値電圧	2V
	最大パワー消費	89 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±20 V
	1チップ当たりのエレメント数	1
	幅	6.1mm
	動作温度 Max	+175 °C
	長さ	5.1mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs	25 nC @ 10 V
	高さ	1.05mm
	順方向ダイオード電圧	1.2V
	動作温度 Min	-55 °C

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 74 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 80 V
	パッケージタイプ DFN
	実装タイプ表面実装
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗 11.4 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 4V
	最低ゲートしきい値電圧 2V
	最大パワー消費 89 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
	1チップ当たりのエレメント数 1
	幅 6.1mm
	動作温度 Max +175 °C
	長さ 5.1mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs 25 nC @ 10 V
	高さ 1.05mm
	順方向ダイオード電圧 1.2V
	動作温度 Min -55 °C

Datasheet NTMFS6H836NT1G

未対応

COO（原産国）:: MY

5 x 6 mmフラットリードパッケージの産業用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。

省スペース(5 x 6 mm)
低RDS(on)
低QG、低静電容量
小型設計
導電損失を最小限に抑制
ドライバ損失を最小限に抑制
用途
スイッチング電源
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
48 Vシステム
バッテリの管理と保護
最終製品
モータ制御
DC/DCコンバータ
負荷スイッチ
同期整流
電池パックとESS

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 74 A, 表面実装, 5 ピン, NTMFS6H836NT1G

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