型番

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 74 A, 表面実装, 5 ピン, NTMFS6H836NT1G

RS品番:: 185-8139
メーカー型番:: NTMFS6H836NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 74 A, 表面実装, 5 ピン, NTMFS6H836NT1G

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1500個入り) 小計：*

￥132,016.50

￥145,218.00

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個	単価	購入単位毎合計*
1500 - 1500	￥88.011	￥132,017
3000 - 13500	￥87.131	￥130,697
15000 - 21000	￥85.378	￥128,067
22500 - 28500	￥83.681	￥125,522
30000 +	￥82.002	￥123,003

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RS品番:: 185-8139
メーカー型番:: NTMFS6H836NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	74 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	80 V
	パッケージタイプ	DFN
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗	11.4 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	4V
	最低ゲートしきい値電圧	2V
	最大パワー消費	89 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±20 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs	25 nC @ 10 V
	1チップ当たりのエレメント数	1
	動作温度 Max	+175 °C
	幅	6.1mm
	長さ	5.1mm
	順方向ダイオード電圧	1.2V
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	1.05mm

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 74 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 80 V
	パッケージタイプ DFN
	実装タイプ表面実装
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗 11.4 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 4V
	最低ゲートしきい値電圧 2V
	最大パワー消費 89 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs 25 nC @ 10 V
	1チップ当たりのエレメント数 1
	動作温度 Max +175 °C
	幅 6.1mm
	長さ 5.1mm
	順方向ダイオード電圧 1.2V
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 1.05mm

Datasheet NTMFS6H836NT1G

COO（原産国）:: MY

5 x 6 mmフラットリードパッケージの産業用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。

省スペース(5 x 6 mm)
低RDS(on)
低QG、低静電容量
小型設計
導電損失を最小限に抑制
ドライバ損失を最小限に抑制
用途
スイッチング電源
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
48 Vシステム
バッテリの管理と保護
最終製品
モータ制御
DC/DCコンバータ
負荷スイッチ
同期整流
電池パックとESS

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 74 A, 表面実装, 5 ピン, NTMFS6H836NT1G

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