onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A N, スルーホール, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS5C645NT1G

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梱包形態
RS品番:
244-9185
メーカー型番:
NTMFS5C645NT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

58A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NTM

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

スルーホール

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

117W

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20.4nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

ON Semiconductor MOSFETのドレイン-ソース間電圧は60 V、ゲート-ソース間電圧は±20 V。

小型設計のフットプリント(5 x 6 mm)

導通損失を最小限に抑える低RDS(on)

ドライバ損失を最小限に抑えるための低QG・静電容量

これらのデバイスは鉛未使用でRoHS準拠

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