型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A N, スルーホール, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS5C645NT1G

RS Stock No.:: 244-9185
Mfr. Part No.:: NTMFS5C645NT1G
Brand:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A N, スルーホール, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS5C645NT1G

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50 - 448	￥508.00	￥1,016
450 - 598	￥435.00	￥870
600 - 1198	￥362.00	￥724
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RS Stock No.:: 244-9185
Mfr. Part No.:: NTMFS5C645NT1G
Brand:: onsemi

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Select all	Attribute	Value
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	58A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	1200V
	シリーズ	NTM
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	22mΩ
	チャンネルモード	N
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	20.4nC
	最大許容損失Pd	117W
	最大ゲートソース電圧Vgs	22 V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

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	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 58A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V
	シリーズ NTM
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプスルーホール
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ
	チャンネルモード N
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20.4nC
	最大許容損失Pd 117W
	最大ゲートソース電圧Vgs 22 V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

ON Semiconductor MOSFETのドレイン-ソース間電圧は60 V、ゲート-ソース間電圧は±20 V。

小型設計のフットプリント(5 x 6 mm)

導通損失を最小限に抑える低RDS(on)

ドライバ損失を最小限に抑えるための低QG・静電容量

これらのデバイスは鉛未使用でRoHS準拠

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A N, スルーホール, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS5C645NT1G

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