onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 30 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

SUPERFET III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、 SUPERFET III MOSFET は、さまざまな電源システムを小型化して高効率化するのに最適です。SUPERFET III FRFET MOSFET を使用すれば、ボディダイオードの最適化された逆回復性能により、追加のコンポーネントを取り外してシステムの信頼性を高めることができます。

700 V @ TJ = 150 °C
超低ゲート電荷（標準） QG = 62 nC ）
低実効出力静電容量（標準） Coss （実効） = 522 pF ）
優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)
静電容量を最適化
標準 RDS （ on ） = 98 m Ω
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
低スイッチング損失
LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮
低ピークVds、低Vgs振幅
用途
電気通信
クラウドシステム
産業用
最終製品
通信電力
サーバー電力
EV充電器
太陽光発電 / UPS

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