- RS品番:
- 186-1500
- メーカー型番:
- NTB110N65S3HF
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は2個
¥1,085.00
(税抜)
¥1,193.50
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
2 - 38 | ¥1,085.00 | ¥2,170.00 |
40 - 378 | ¥1,053.00 | ¥2,106.00 |
380 - 498 | ¥831.00 | ¥1,662.00 |
500 - 638 | ¥719.50 | ¥1,439.00 |
640 + | ¥608.00 | ¥1,216.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 186-1500
- メーカー型番:
- NTB110N65S3HF
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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詳細情報
SUPERFET III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術を使用して、超低オン抵抗と低ゲートチャージ性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。この結果、 SUPERFET III MOSFET は、さまざまな電源システムを小型化して高効率化するのに最適です。SUPERFET III FRFET MOSFET を使用すれば、ボディダイオードの最適化された逆回復性能により、追加のコンポーネントを取り外してシステムの信頼性を高めることができます。
700 V @ TJ = 150 °C
超低ゲート電荷(標準) QG = 62 nC )
低実効出力静電容量(標準) Coss (実効) = 522 pF )
優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)
静電容量を最適化
標準 RDS ( on ) = 98 m Ω
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
低スイッチング損失
LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮
低ピークVds、低Vgs振幅
用途
電気通信
クラウドシステム
産業用
最終製品
通信電力
サーバー電力
EV充電器
太陽光発電 / UPS
超低ゲート電荷(標準) QG = 62 nC )
低実効出力静電容量(標準) Coss (実効) = 522 pF )
優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)
静電容量を最適化
標準 RDS ( on ) = 98 m Ω
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
低スイッチング損失
LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮
低ピークVds、低Vgs振幅
用途
電気通信
クラウドシステム
産業用
最終製品
通信電力
サーバー電力
EV充電器
太陽光発電 / UPS
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 30 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 110 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
最大パワー消費 | 240 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±30 V |
幅 | 9.65mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 10.67mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 4.58mm |
順方向ダイオード電圧 | 1.3V |
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