- RS品番:
- 202-5687
- メーカー型番:
- NTB004N10G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
一時的な在庫切れ - 2024/05/29に入荷し、その後4営業日でお届け予定
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単価: 購入単位は800 個
¥636.539
(税抜)
¥700.193
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
800 - 800 | ¥636.539 | ¥509,231.20 |
1600 - 7200 | ¥617.538 | ¥494,030.40 |
8000 - 11200 | ¥584.603 | ¥467,682.40 |
12000 - 15200 | ¥568.135 | ¥454,508.00 |
16000 + | ¥551.666 | ¥441,332.80 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 202-5687
- メーカー型番:
- NTB004N10G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
データシート
その他
詳細情報
ON Semiconductor パワー MOSFET は、 201 A の電流と 100 V で動作します。48 V システムのホットスワップで使用できます。
ソース間のドレイン抵抗が低い
高電流に対応
広い安全動作領域
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
高電流に対応
広い安全動作領域
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 201 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
シリーズ | NTB |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.00682 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | Si |
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