onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 201 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計:*

¥503,224.00

(税抜)

¥553,544.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,200 2026年3月23日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
800 - 800¥629.03¥503,224
1600 - 7200¥622.401¥497,921
8000 - 11200¥615.77¥492,616
12000 - 15200¥609.143¥487,314
16000 +¥602.511¥482,009

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
202-5687
メーカー型番:
NTB004N10G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

201A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

NTB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.82mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

340W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

175nC

動作温度 Max

175°C

長さ

10.63mm

規格 / 承認

Pb-Free and are RoHS

4.83 mm

高さ

15.88mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor パワー MOSFET は、 201 A の電流と 100 V で動作します。48 V システムのホットスワップで使用できます。

ソース間のドレイン抵抗が低い

高電流に対応

広い安全動作領域

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS対応

関連ページ