onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 139 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 221-6693
- メーカー型番:
- NTB5D0N15MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | ￥394.213 | ￥315,370 |
| 1600 - 7200 | ￥390.02 | ￥312,016 |
| 8000 - 11200 | ￥385.83 | ￥308,664 |
| 12000 - 15200 | ￥381.636 | ￥305,309 |
| 16000 + | ￥377.446 | ￥301,957 |
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- RS品番:
- 221-6693
- メーカー型番:
- NTB5D0N15MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 139A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | NTB5D0N | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 75nC | |
| 最大許容損失Pd | 214W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 4.83 mm | |
| 高さ | 15.88mm | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 139A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ NTB5D0N | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 75nC | ||
最大許容損失Pd 214W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 4.83 mm | ||
高さ 15.88mm | ||
長さ 10.67mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor 150 V パワー MOSFET は、シングル N チャンネルで 139 A のドレイン電流を使用します。シールドゲート技術を採用した先進のパワートレンチプロセスを使用して製造されています。業界最低クラスの Qrr とソフトなボディダイオードにより、優れた低ノイズスイッチングを実現しています。
最大 RDS （ on ） 5.0 m @ VGS @ 10 V
他社製 MOSFET よりも 50% 低いQrr を実現
スイッチングノイズ / EMI を低減
100% UIL テスト済み