Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 800 V, 17.4 A, 235 mΩ, 48 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247AC

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RS品番:
188-4876
メーカー型番:
SIHG21N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

17.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-247AC

シリーズ

E

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

235mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

最大許容損失Pd

179W

動作温度 Max

150°C

幅

5.31mm

高さ

20.82mm

長さ

15.87mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧800V、連続ドレイン電流17.4A - SIHG21N80AE-GE3


このパワーMOSFETは、産業用および電力変換環境向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。TO-247ACパッケージのスルーホール実装で、大きな電圧や電流に対応できるエンハンスメントモードトランジスタとして動作します。このデバイスは、幅広い周囲温度範囲で堅牢な半導体スイッチングを必要とするシステムに適しています。

特長:


• 800Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 17.4Aの連続ドレインにより、大きな負荷電流をサポート
• 235mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• 179 Wの消費電力により、高出力動作が可能
• 48nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 30Vゲート定格により、一般的なゲートドライブ電圧を実現

用途


• 産業用高電圧電源に最適
• インバータおよびモータードライブスイッチングステージに最適
• 電力コンバータのハードスイッチングトポロジーに使用
• 高電圧を必要とするクラスDオーディオアンプに使用可能
• エネルギーおよび再生可能電力電子機器に最適

どのようなゲートドライブ電圧範囲を安全に使用できますか?


このデバイスは、最大30 Vのゲート対ソース電圧に対応しているため、ゲートドライブ回路は、ゲートストレスを避けるために、この制限内に留まるように設計する必要があります。

極端な温度でもどのように性能を発揮しますか?


このトランジスタの定格動作温度は-55°C~150°Cで、適切な熱管理により高温の産業用設備での使用が可能です。

プリント基板設計にはどのような取り付け要件が適用されますか?


スルーホールTO-247ACパッケージで提供されているため、基板レイアウトには、パッケージフットプリントに適した穴間隔とヒートシンクの規定が含まれる必要があります。

ゲート特性には、どのようなスイッチング動作が期待されますか?


標準的な総ゲート電荷48nCにより、設計者はスイッチングエネルギーを推定し、スイッチング速度とEMIのバランスを取るゲートドライバを選択できます。

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