Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 8 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, SIHG11N80AE-GE3
- RS品番:
- 210-4982
- メーカー型番:
- SIHG11N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 210-4982
- メーカー型番:
- SIHG11N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 391mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 78W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 45.3mm | |
| 幅 | 15.5 mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 391mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 78W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 45.3mm | ||
幅 15.5 mm | ||
高さ 4.83mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay E シリーズパワー MOSFET は、シングル構成の TO-247AC パッケージタイプです。
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低実効静電容量（ CISS ）
スイッチング損失及び導電損失を低減
超低ゲート電荷(Qg)
アバランシェエネルギー定格（ UIS ）
ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています