Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 17.4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247AC, SIHG21N80AE-GE3
- RS品番:
- 188-4989
- Distrelec 品番:
- 304-38-848
- メーカー型番:
- SIHG21N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
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- Distrelec 品番:
- 304-38-848
- メーカー型番:
- SIHG21N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 17.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | TO-247AC | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 235mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 幅 | 5.31mm | |
| 高さ | 20.82mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 17.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 TO-247AC | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 235mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 48nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 15.87mm | ||
幅 5.31mm | ||
高さ 20.82mm | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧800 V、ドレイン電流17.4 A - SIHG21N80AE-GE3
このパワーMOSFETは、産業環境でのスイッチングおよび電力変換作業向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。広い温度範囲で動作し、大きな連続電流をサポートし、堅牢な取り付けと簡単な熱インターフェイスを必要とする用途に適したスルーホールTO-247ACパッケージで提供されます。
特長：
• 800 Vブロッキング機能により、高電圧システム設計を実現 • 17.4 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷処理を実現 • 235 mΩ Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 48 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング性能を実現 • 要求の厳しい電力段階向けの179 Wの消費電力容量 • 150°Cまでの高温動作に対応
用途
• 産業用モータドライブインバータステージに最適 • 高電圧電源およびコンバータに最適 • 再生可能エネルギーインバータおよびPV最適化設計に使用 • トラクションおよびユーティリティパワーエレクトロニクスに使用可能 • ハードスイッチング及びソフトスイッチング半導体ステージに最適
熱管理にはどのような取り付け要件が適用されますか?
スルーホールTO-247ACフォーマットにより、ヒートシンクに直接ボルトを取り付けることができ、絶縁パッドまたはサーマルコンポーネントを効果的に使用して、消費電力を外部冷却に転送できます。
ゲートソースの定格電圧は、ゲートドライブの設計にどのように影響しますか?
最大ゲートソース許容電圧30 Vのゲートドライバを選択して、このウィンドウ内で動作し、電圧制限を超えずに指定されたゲート電荷を達成するのに十分なドライブを提供する必要があります。
動作中にどのような過酷な環境に耐えられますか?
このデバイスは、-55 °C～150 °Cまで動作するように設定されており、周囲温度とジャンクション温度の幅広い場所での使用が可能です。
スイッチングエネルギーの考慮事項は、どのような電気的パラメータで決まりますか?
標準的な48 nCのゲート電荷とデバイスのオン抵抗と定格電圧は、主にターンオンおよびターンオフイベント中のエネルギー損失を決定します。
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