Vishay MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 4.1 A, 1.44 Ω, 11 nC, 3ピン, パッケージ:IPAK

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RS品番:
188-4879
メーカー型番:
SIHU4N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

IPAK

シリーズ

SiHU4N80AE

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.44Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

62.5W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

幅

2.38mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

6.22mm

自動車規格

なし

E シリーズパワー MOSFET です

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量( CISS )

スイッチング損失及び導電損失を低減

用途

サーバー / 通信用の電源

スイッチモード電源(SMPS)

力率補正電源(PFC)

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