Vishay MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 4.1 A, 1.44 Ω, 11 nC, 3ピン, パッケージ：IPAK
- RS品番:
- 188-4879
- メーカー型番:
- SIHU4N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 188-4879
- メーカー型番:
- SIHU4N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | SiHU4N80AE | |
| パッケージ型式 | IPAK | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.44Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最大許容損失Pd | 62.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 6.22mm | |
| 幅 | 2.38mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ SiHU4N80AE | ||
パッケージ型式 IPAK | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.44Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11nC | ||
最大許容損失Pd 62.5W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 6.22mm | ||
幅 2.38mm | ||
自動車規格 なし | ||
E シリーズパワー MOSFET です
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低実効静電容量（ CISS ）
スイッチング損失及び導電損失を低減
用途
サーバー / 通信用の電源
スイッチモード電源(SMPS)
力率補正電源(PFC)
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