型番

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 850 V, 5 A, 950 mΩ, 22.5 nC, 3ピン, パッケージ：TO-251

RS品番:: 200-6869
メーカー型番:: SIHU6N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 850 V, 5 A, 950 mΩ, 22.5 nC, 3ピン, パッケージ：TO-251

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150 - 1350	￥204.60	￥5,115
1375 - 1725	￥181.60	￥4,540
1750 - 2225	￥158.64	￥3,966
2250 +	￥135.52	￥3,388

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RS品番:: 200-6869
メーカー型番:: SIHU6N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	850V
	シリーズ	E
	パッケージ型式	TO-251
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	950mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	22.5nC
	最大許容損失Pd	62.5W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V
	シリーズ E
	パッケージ型式 TO-251
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 950mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22.5nC
	最大許容損失Pd 62.5W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Document- SIHU6N80AE-GE3

Vishay SIHU6N80AE-GE3 は E シリーズのパワー MOSFET です。

低性能指数

低実効静電容量（ CISS ）

スイッチング損失及び導電損失を低減

超低ゲート電荷(Qg)

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています

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