Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 800 V, 4.4 A, 1.35 Ω, 16.5 nC, 3ピン, パッケージ:IPAK

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥1,960

(税抜)

¥2,156

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 20 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140¥196.00¥1,960
150 - 1390¥193.30¥1,933
1400 - 1890¥190.60¥1,906
1900 - 2390¥187.80¥1,878
2400 +¥185.40¥1,854

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
204-7229
メーカー型番:
SIHU5N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

4.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

IPAK

シリーズ

E

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.35Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.5nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

62.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

2.39mm

高さ

6.22mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧800V、最大消費電力62.5W - SIHU5N80AE-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい産業用電力変換および制御用途向けに設計された高電圧スイッチングデバイスです。Nチャンネルエンハンスメントモードトランジスタとして動作し、IPAKパッケージでスルーホール基板実装用に設計されています。このコンポーネントは、高温環境に対応し、電力システムにおける堅牢なスイッチング動作のための明確なゲート駆動範囲を提供します。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 800V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 4.4Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷伝導をサポート
• 1.35Ωの低Rds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 16.5 nC標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブ設計を実現
• 62.5Wの最大消費電力により、大幅な熱処理を実現
• 最大30Vのゲート-ソース電圧により、ゲート絶縁マージンを確保

用途


• 高電圧SMPSのプライマリスイッチング作業に最適
• 産業用モータドライブインバータフロントエンドに最適
• 力率回路のブーストコンバータと併用
• 高電圧リレー交換設計に使用可能
• エネルギー管理および電源保護に使用

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°Cの範囲で動作する定格で、熱変動が大きい環境での使用が可能です。

基板アセンブリには、どのようなパッケージと取付方式を使用しますか?


このデバイスはIPAK形式で提供され、ヒートシンクへの熱伝導を支援するスルーホール取り付け用に設計されています。

どのような順方向電圧特性が中程度の電流での導通に影響しますか?


このコンポーネントは、ボディダイオードの伝導率および逆回復損失を評価する際に重要な1.2Vの順方向電圧を発揮します。

この製品は、RoHS要件を満たす用途に適していますか?


RoHS規格に準拠しているため、制限物質への適合が必要な場所での展開が可能です。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。