Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 70 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
188-4883
メーカー型番:
SiRA84BDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiRA84BDP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

36W

動作温度 Max

150°C

長さ

5.99mm

規格 / 承認

No

5 mm

高さ

1.07mm

自動車規格

なし

N チャンネル 30 V ( D-S ) MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

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