Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 335 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
228-2915
メーカー型番:
SIRA20BDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

335A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.58mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

124nC

最大許容損失Pd

104W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay TrenchFET N チャンネルは 25 V

100 % Rg及びUISテスト済み

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