Vishay Pチャンネル MOSFET30 V 35 A 表面実装 パッケージPowerPAK 1212-8SH 8 ピン
- RS品番:
- 188-4892
- メーカー型番:
- SiSH101DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価： 購入単位は3000 個
￥48.739
(税抜)
￥53.613
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥48.739 | ￥146,217.00 |
| 15000 - 27000 | ￥47.284 | ￥141,852.00 |
| 30000 - 72000 | ￥44.762 | ￥134,286.00 |
| 75000 - 147000 | ￥43.501 | ￥130,503.00 |
| 150000 + | ￥42.241 | ￥126,723.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 188-4892
- メーカー型番:
- SiSH101DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
P チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。
TrenchFET®パワーMOSFET
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 35 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK 1212-8SH |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 13 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V |
| 最大パワー消費 | 52 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | ±25 V |
| 長さ | 3.3mm |
| 幅 | 3.3mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 68 nC @ 15 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
| 高さ | 0.93mm |
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