Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 108 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212

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RS品番:
188-4900
メーカー型番:
SiSS05DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

108A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

SiSS05DN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

65.7W

順方向電圧 Vf

-1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

76nC

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

幅

3.3 mm

高さ

0.78mm

自動車規格

なし

P チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET ® Gen IV p チャンネルパワー MOSFET

熱特性が強化されたコンパクトなパッケージで、極めて低い RDS （ on ）を実現します

より高い電力密度を実現します

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