Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 45 V, 108 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212

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RS品番:
200-6847
メーカー型番:
SISS50DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

108A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

45V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET Gen IV

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

70nC

最大許容損失Pd

65.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

高さ

3.3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay SISS50DN-T1-GE3 は、 N チャンネル 45 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

熱特性が強化された小型パッケージで超低RDS(on)

Qg、Qgd、Qgd/Qgs比の最適化により、スイッチング関連の電力損失を低減

100 % Rg及びUISテスト済み

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