Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 20 V, 27 A, 11.5 mΩ, 195 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212
- RS品番:
- 165-6922
- メーカー型番:
- SISS23DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 165-6922
- メーカー型番:
- SISS23DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 27A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 11.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 57W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -8V, +8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 195nC | |
| 順方向電圧 Vf | -0.8V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.3mm | |
| 高さ | 0.78mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 27A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 57W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -8V, +8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 195nC | ||
順方向電圧 Vf -0.8V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.3mm | ||
高さ 0.78mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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