Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 150 V, 16.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212

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RS品番:
188-4907
メーカー型番:
SISS73DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

16.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

SiSS73DN

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14.6nC

最大許容損失Pd

65.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.3mm

幅

3.3 mm

高さ

0.78mm

自動車規格

なし

P チャンネル 150 V （ D-S ） MOSFET

TrenchFET ® （ ThunderFET 技術を使用

超低 RDS （ on ）により、導電による電力損失が最小限に抑えられます

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