Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8, SIS892ADN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9399
メーカー型番:
SIS892ADN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

28A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

シリーズ

SiS892ADN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.033Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

52W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.1nC

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

幅

3.4 mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.12mm

長さ

3.4mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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