Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 70 V, 45.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS178LDN-T1-GE3

RS品番:: 228-2923
メーカー型番:: SiS178LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 70 V, 45.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS178LDN-T1-GE3

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	45.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	70V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	PowerPAK 1212
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	9.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	18.7nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	39W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 45.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 70V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 PowerPAK 1212
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18.7nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 39W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 70 V, 45.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS178LDN-T1-GE3

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