STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 300 V, 53 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計:*

¥638,750.00

(税抜)

¥702,620.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月27日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000¥638.75¥638,750
2000 - 9000¥629.357¥629,357
10000 - 14000¥619.963¥619,963
15000 - 19000¥610.57¥610,570
20000 +¥601.176¥601,176

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
192-4651
メーカー型番:
STB45N30M5
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

53A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

300V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

MDmesh M5

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.04Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

95nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±25 V

最大許容損失Pd

250W

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

9.35 mm

規格 / 承認

No

長さ

10.4mm

高さ

4.37mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
このデバイスは、 MDmesh ™ M5 の革新的な垂直プロセステクノロジーと広く知られている PowerMESH ™水平レイアウトを組み合わせた N チャネルパワー MOSFET です。その結果、オン抵抗が非常に低く、高出力と高効率が求められる用途に特に適しています。

超低 RDS ( on )

低ゲート電荷量及び入力静電容量

優れたスイッチング性能

関連ページ