STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 300 V, 53 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 192-4651
- メーカー型番:
- STB45N30M5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 192-4651
- メーカー型番:
- STB45N30M5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 53A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 300V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | MDmesh M5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.04Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 95nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±25 V | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 9.35 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 高さ | 4.37mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 53A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 300V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ MDmesh M5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.04Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 95nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±25 V | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 9.35 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.4mm | ||
高さ 4.37mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
このデバイスは、 MDmesh ™ M5 の革新的な垂直プロセステクノロジーと広く知られている PowerMESH ™水平レイアウトを組み合わせた N チャネルパワー MOSFET です。その結果、オン抵抗が非常に低く、高出力と高効率が求められる用途に特に適しています。
超低 RDS ( on )
低ゲート電荷量及び入力静電容量
優れたスイッチング性能
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