STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 17 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 168-7458
- メーカー型番:
- STB24NM60N
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は1000 個
￥241.539
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(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥241.539 | ￥241,539.00 |
| 2000 - 9000 | ￥234.328 | ￥234,328.00 |
| 10000 - 14000 | ￥221.832 | ￥221,832.00 |
| 15000 - 19000 | ￥215.583 | ￥215,583.00 |
| 20000 + | ￥209.334 | ￥209,334.00 |
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- RS品番:
- 168-7458
- メーカー型番:
- STB24NM60N
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詳細情報
NチャンネルMDmesh™、600 V / 650 V、STMicroelectronics
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 17 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | MDmesh |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 190 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 125 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 10.4mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 10.75mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| 高さ | 4.6mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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