STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージPowerFLAT, STL45N60DM6

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梱包形態
RS品番:
192-4899
メーカー型番:
STL45N60DM6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerFLAT

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44nC

最大許容損失Pd

160W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

150°C

高さ

0.9mm

長さ

8.1mm

幅

8.1 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
この高電圧 N チャネルパワー MOSFET は、 MDmesh ™ DM6 高速リカバリダイオードシリーズの一部です。DM6 は、従来の MDmesh の高速世代と比較して、非常に低いリカバリチャージ（ Qrr ）、リカバリ時間（ trr ）、およびエリアごとの RDS （ on ）の優れた改善と、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジおよび ZVS 位相シフトコンバータの効果的なスイッチング動作を兼ね備えています。

高速リカバリボディダイオード

前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります

低ゲート電荷量、入力静電容量、及び抵抗

非常に高い dv/dt 耐量

ツェナー保護

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