1 STMicroelectronics シングル, タイプN, タイプNチャンネル, 25 A, 表面, スルーホール, スルーホール 650 V, 3-Pin エンハンスメント型, STP26N65DM2 パッケージTO-220

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RS品番:
192-4662
メーカー型番:
STP26N65DM2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

表面, スルーホール, スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35.5nC

最大許容損失Pd

160W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

シングル

高さ

15.75mm

規格 / 承認

FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A

幅

4.6 mm

長さ

10.4mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
この高電圧NチャネルパワーMOSFETは、MDmesh™ DM2高速回復ダイオードシリーズの一部です。非常に低い回復電荷(Qrr)と時間(trr)を備え、低いRDS(on)と組み合わせて、最も要求の厳しい高効率コンバータに適し、ブリッジトポロジやZVS相シフトコンバータに最適です。

高速回復ボディダイオード

極めて低いゲート電荷と入力容量

低オン抵抗

極めて高い dv/dt 耐久性

ツェナー保護

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