STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 56 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン

STMicroelectronics製品は、最も革新的なスーパージャンクションMDmesh DM9テクノロジーをベースにしたNチャンネルパワーMOSFETで、エリアごとにRDSが非常に低く、高速回復ダイオードを組み合わせた中 / 高電圧MOSFETに適しています。シリコンベースのDM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスにより、強化されたデバイス構造を実現します。この高速スイッチングスーパージャンクションパワーMOSFETは、非常に低いリカバリ電荷、時間、RDSオンを特長とする高速リカバリダイオードにより、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジ及びZVS相シフトコンバータ向けにカスタマイズされています。

高速回復ボディダイオード、
シリコンベースの高速回復デバイスの1エリア当たり世界最高のRDS、
低ゲート電荷、入力静電容量、
抵抗100パーセント、アバランシェテスト、
極めて優れたdv/dt耐久性