STMicroelectronics, Nチャンネル, シングル, 650 V, 25 A, 190 Ω, 35.5 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 192-4952
- メーカー型番:
- STP26N65DM2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 192-4952
- メーカー型番:
- STP26N65DM2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 650 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 25 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 190 Ω | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 35.5 nC | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.6 V | |
| 高さ | 15.75 mm | |
| 長さ | 10.4 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 25 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 160 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面, スルーホール, スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 規格 / 承認 | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| 幅 | 4.6 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 650 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 25 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 190 Ω | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 35.5 nC | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.6 V | ||
高さ 15.75 mm | ||
長さ 10.4 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 25 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 160 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面, スルーホール, スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
規格 / 承認 FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
幅 4.6 mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
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