STMicroelectronics MOSFETトランジスタ, Nチャンネル, 7 A, 表面実装, 8 ピン, STL13N60M6

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梱包形態
RS品番:
192-4849
メーカー型番:
STL13N60M6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

7 A

最大ドレイン-ソース間電圧

600 V

パッケージタイプ

PowerFLAT 5x6 HV

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

415 m Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4.75V

最低ゲートしきい値電圧

3.25V

最大パワー消費

52 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

±25 V

1チップ当たりのエレメント数

1

幅

5mm

長さ

6mm

動作温度 Max

+150 °C

標準ゲートチャージ @ Vgs

13 nC @ 10 V

動作温度 Min

-55 °C

順方向ダイオード電圧

1.6V

高さ

0.95mm

COO（原産国）:
CN
新しい MDmesh M6 テクノロジーには、 SJ MOSFET の有名で統合された MDmesh ファミリに対する最新の進歩が組み込まれています。STMicroelectronics は、新しい M6 技術によって前世代の MDmesh デバイスを基盤として構築されています。この技術は、エリアごとに優れた RDS （ on ）を向上させ、最も効果的なスイッチング動作を実現

スイッチング損失の低減
前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります
低ゲート入力抵抗

ツェナー保護

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