STMicroelectronics, Nチャンネル, シングル, 600 V, 7 A, 415 mΩ, 8ピン, パッケージ：PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS品番:
- 192-4849
- メーカー型番:
- STL13N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 192-4849
- メーカー型番:
- STL13N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 415mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6mm | |
| 高さ | 0.95mm | |
| 幅 | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 415mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6mm | ||
高さ 0.95mm | ||
幅 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
- COO（原産国）:
- CN
新しいMDmesh M6テクノロジーは、SJ MOSFETの有名で統合されたMDmeshファミリの最新の進歩を組み合わせています。STMicroelectronicsは、エリアごとの優れたRDS(on)の改善と、最も効果的なスイッチング動作の1つと、最大限のエンドアプリケーション効率を実現するユーザーフレンドリーな体験を組み合わせた、新しいM6テクノロジーを使用して、前世代のMDmeshデバイスをベースにしています。
スイッチング損失の削減
以前の世代に比べてエリアごとのRDS(on)が低い
低ゲート入力抵抗
ツェナー保護
関連ページ
- STMicroelectronics シングル 7 A 8ピン, パッケージ：PowerFLAT (5 x 6) HV
- STMicroelectronics MOSFET 600 V 308 mΩ 5ピン, パッケージ：PowerFlat HV
- STMicroelectronics MOSFET 600 V 1.5 Ω 8ピン, パッケージ：PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV
- STMicroelectronics MOSFET シングル 40 A 4.5 nC パッケージ：PowerFLAT
- STMicroelectronics 750 V 4ピン, パッケージ：PowerFLAT (5 x 6) HV
- STMicroelectronics MOSFET Nチャンネル 160 A パッケージ：PowerFLAT
- STMicroelectronics MOSFET 80 V 1.6 mΩ パッケージ：PowerFLAT
- STMicroelectronics MOSFET 600 V 215 mΩ 5ピン, パッケージ：PowerFLAT