Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 4.3 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, SiHA690N60E-GE3
- RS品番:
- 200-6806
- メーカー型番:
- SiHA690N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 250 - 450 | ¥246.30 | ¥12,315 |
| 500 - 1200 | ¥240.08 | ¥12,004 |
| 1250 - 2450 | ¥233.88 | ¥11,694 |
| 2500 + | ¥227.66 | ¥11,383 |
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- RS品番:
- 200-6806
- メーカー型番:
- SiHA690N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 700mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 29W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 13.8mm | |
| 幅 | 4.7 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 700mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 29W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 13.8mm | ||
幅 4.7 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SiHA690N60E-GE3 は、 E シリーズのパワー MOSFET です。
Vishay SiHA690N60E-GE3 は、 E シリーズのパワー MOSFET です。
第 4 世代 E シリーズテクノロジー
低性能指数
低実効静電容量
スイッチング損失及び導電損失を低減
アバランシェエネルギー定格( UIS )
第 4 世代 E シリーズテクノロジー
低性能指数
低実効静電容量
スイッチング損失及び導電損失を低減
アバランシェエネルギー定格( UIS )
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