Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 19 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, SIHA22N60EF-GE3

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梱包形態
RS品番:
188-4973
メーカー型番:
SIHA22N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

EF

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.182Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

33W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

動作温度 Max

150°C

長さ

10.3mm

規格 / 承認

No

高さ

15.3mm

幅

4.7 mm

自動車規格

なし

EF シリーズパワー MOSFET 、高速ボディダイオード付きです。

EF シリーズパワー MOSFET 、高速ボディダイオード付きです。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低入力静電容量(Ciss)

スイッチング損失及び導電損失を低減

用途

サーバー / 通信用の電源

スイッチモード電源(SMPS)

力率補正電源(PFC)

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低入力静電容量(Ciss)

スイッチング損失及び導電損失を低減

用途

サーバー / 通信用の電源

スイッチモード電源(SMPS)

力率補正電源(PFC)

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