Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 850 V, 3 A, 1.35 Ω, 11 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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梱包形態
RS品番:
228-2840
メーカー型番:
SiHA5N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

850V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.35Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11nC

最大許容損失Pd

29W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧850V、連続ドレイン電流3A - SiHA5N80AE-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい電子システムでのスイッチングおよび増幅作業向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。広い熱範囲で動作し、スルーホールTO‐220パッケージで提供されているため、基板取り付けが簡単で、堅牢な電圧処理とアクセス可能な取り付けが必要な産業用アセンブリに適しています。

特長:


• 850 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 3Aの連続電流により、適度な負荷電流をサポート
• 29 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 1.35Ω Rds(on)により、予測可能な伝導損失を実現
• 11nC標準ゲート充電により、ゲートドライブの要件を管理可能
• 最大ゲート電圧 30V により、一般的なゲートドライブ電圧を実現

用途


• 高電圧電力変換段階に最適
• 産業用モーター駆動フロントエンドに最適
• スナバー付きスイッチング電源およびインバータと併用
• 高電圧ラボテスト機器に使用可能
• 電力制御におけるディスクリートスイッチの実装に最適

動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?


-55°C~150°Cで動作し、幅広い産業用途に対応します。

レガシー設計にどのように取り付けられ、統合されていますか?


このコンポーネントは、TO‐220スルーホール形式で提供され、はんだ付けまたはねじ止め式ヒートシンクアタッチメントを容易にし、従来の基板で簡単に交換できます。

どのようなゲートドライブに注意すべきですか?


ゲートドライブの振幅が30Vを超えないようにし、11nCの標準ゲート電荷に対して十分なドライブ強度を確保し、必要なスイッチング速度を実現します。

自動車認証プロジェクトに適していますか?


自動車規格認証を取得していないため、車両特有の認証要件に適合しているとは考慮しないでください。

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