Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 45 V, 11 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8, SIJ150DP-T1-GE3

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RS品番:
200-6841
メーカー型番:
SIJ150DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

45V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET Gen IV

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

65.7W

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

70nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

3.4mm

高さ

3.4mm

規格 / 承認

No

幅

0.98 mm

自動車規格

なし

Vishay SIJ150DP-T1-GE3 は、 N チャンネル 45 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

Qg と Qoss が非常に低いので、電力損失が減り、効率が向上します

フレキシブルリードにより、機械的応力に耐えることができます

100 % Rg及びUISテスト済み

Qgd/qgs< 1 でスイッチング特性を最適化

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