Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 44.4 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージSO-8L, SIJ4819DP-T1-GE3

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RS品番:
279-9935
メーカー型番:
SIJ4819DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

44.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

SO-8L

シリーズ

SIJ

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0207Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

73.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

65nC

動作温度 Max

150°C

長さ

5.13mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

低電圧ドロップ

導電損失を軽減

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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