型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 29 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, NTHL160N120SC1

RS品番:: 202-5707
メーカー型番:: NTHL160N120SC1
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 29 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, NTHL160N120SC1

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RS品番:: 202-5707
メーカー型番:: NTHL160N120SC1
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	29A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	1200V
	パッケージ型式	TO-247
	シリーズ	NTH
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	110mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	119W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	34nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	長さ	15.87mm
	高さ	20.82mm
	幅	4.82 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 29A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V
	パッケージ型式 TO-247
	シリーズ NTH
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 119W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	長さ 15.87mm
	高さ 20.82mm
	幅 4.82 mm
	自動車規格なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-3L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-3L

ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 17 A 及び 1200 V で動作します。無停電電源、 DC/DC コンバータ、ブーストインバータで使用できます。

160 m Ω のドレイン - ソース間の抵抗

超低ゲート電荷

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリー

RoHS対応

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 29 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, NTHL160N120SC1

￥3,000円を超える注文については、送料無料

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-3L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-3L

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