- RS品番:
- 202-5707
- メーカー型番:
- NTHL160N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は2個
¥1,215.50
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¥1,337.05
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
2 - 28 | ¥1,215.50 | ¥2,431.00 |
30 - 208 | ¥1,180.00 | ¥2,360.00 |
210 - 278 | ¥1,066.50 | ¥2,133.00 |
280 - 358 | ¥919.00 | ¥1,838.00 |
360 + | ¥888.50 | ¥1,777.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 202-5707
- メーカー型番:
- NTHL160N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-3L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-3L
ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 17 A 及び 1200 V で動作します。無停電電源、 DC/DC コンバータ、ブーストインバータで使用できます。
160 m Ω のドレイン - ソース間の抵抗
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 29 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
パッケージタイプ | TO-247 |
シリーズ | NTH |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.11 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | SiC |
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