1 onsemi MOSFET Nチャンネル, タイプNチャンネル, 60 A, 表面 40 V, 12-Pin エンハンスメント型 パッケージWQFN
- RS品番:
- 202-5717
- メーカー型番:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 202-5717
- メーカー型番:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | WQFN | |
| シリーズ | NTTF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 12 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.78V | |
| 最大許容損失Pd | 26W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | Nチャンネル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 WQFN | ||
シリーズ NTTF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 12 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.78V | ||
最大許容損失Pd 26W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 Nチャンネル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
高さ 0.75mm | ||
長さ 3.3mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor の対称デュアル N チャンネル MOSFET には、デュアルパッケージに 2 つの特殊 N チャンネル MOSFET が含まれています。スイッチノードは内部で接続されており、同期バックコンバータの配置と配線が簡単になっています。この製品は、コンピューティング、通信、汎用の負荷ポイント用途で使用されます。
低インダクタンスパッケージ
低スイッチング損失
RoHS対応
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