1 onsemi MOSFET デュアルN, タイプNチャンネル, 38 A, 表面 60 V, 12-Pin エンハンスメント型 パッケージWQFN

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RS品番:
202-5719
メーカー型番:
NTTFD9D0N06HLTWG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

NTTF

パッケージ型式

WQFN

取付タイプ

表面

ピン数

12

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13.5nC

最大許容損失Pd

26W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.79V

トランジスタ構成

デュアルN

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

3.3 mm

長さ

3.3mm

高さ

0.75mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

ON Semiconductor の対称デュアル N チャンネル MOSFET には、デュアルパッケージに 2 つの特殊 N チャンネル MOSFET が含まれています。スイッチノードは内部で接続されており、同期バックコンバータの配置と配線が簡単になっています。この製品は、コンピューティング、通信、汎用の負荷ポイント用途で使用されます。

ON Semiconductor の対称デュアル N チャンネル MOSFET には、デュアルパッケージに 2 つの特殊 N チャンネル MOSFET が含まれています。スイッチノードは内部で接続されており、同期バックコンバータの配置と配線が簡単になっています。この製品は、コンピューティング、通信、汎用の負荷ポイント用途で使用されます。

低インダクタンスパッケージ

低スイッチング損失

RoHS対応

低インダクタンスパッケージ

低スイッチング損失

RoHS対応

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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