1 onsemi MOSFET デュアルN, タイプNチャンネル, 38 A, 表面 60 V, 12-Pin エンハンスメント型, NTTFD9D0N06HLTWG パッケージWQFN
- RS品番:
- 202-5721
- メーカー型番:
- NTTFD9D0N06HLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 150 - 1350 | ￥225.12 | ￥5,628 |
| 1375 - 1725 | ￥202.68 | ￥5,067 |
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- RS品番:
- 202-5721
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- NTTFD9D0N06HLTWG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 38A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | NTTF | |
| パッケージ型式 | WQFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 12 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 26W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.79V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| トランジスタ構成 | デュアルN | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 幅 | 3.3 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 38A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ NTTF | ||
パッケージ型式 WQFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 12 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 26W | ||
順方向電圧 Vf 0.79V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13.5nC | ||
トランジスタ構成 デュアルN | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
幅 3.3 mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 0.75mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor の対称デュアル N チャンネル MOSFET には、デュアルパッケージに 2 つの特殊 N チャンネル MOSFET が含まれています。スイッチノードは内部で接続されており、同期バックコンバータの配置と配線が簡単になっています。この製品は、コンピューティング、通信、汎用の負荷ポイント用途で使用されます。
ON Semiconductor の対称デュアル N チャンネル MOSFET には、デュアルパッケージに 2 つの特殊 N チャンネル MOSFET が含まれています。スイッチノードは内部で接続されており、同期バックコンバータの配置と配線が簡単になっています。この製品は、コンピューティング、通信、汎用の負荷ポイント用途で使用されます。
低インダクタンスパッケージ
低スイッチング損失
RoHS対応
低インダクタンスパッケージ
低スイッチング損失
RoHS対応
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