onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 29 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, NVH4L080N120SC1

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梱包形態
RS品番:
202-5740
メーカー型番:
NVH4L080N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NVH

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

最大許容損失Pd

170W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

5.2 mm

高さ

22.74mm

長さ

15.8mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、80モーム、1200 V、M1、TO247−4LシリコンカーバイドMOSFET、N?チャンネル、1200 V、80 m?, TO247?4L


ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 29 A 、 1200 V で動作します。車載オンボード充電器、 DC / DC コンバータ、車載補助モータ駆動用途で使用できます。

AEC Q101 認定

アバランシェ100 %テスト済み

低実効出力静電容量

RoHS対応

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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