onsemi Nチャンネル MOSFETトランジスタ1200 V 102 A スルーホール パッケージTO-247-4 4 ピン
- RS品番:
- 202-5735
- メーカー型番:
- NVH4L020N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 25 - 214 | ￥17,418.00 |
| 215 - 279 | ￥15,677.00 |
| 280 - 359 | ￥14,252.00 |
| 360 + | ￥13,064.00 |
- RS品番:
- 202-5735
- メーカー型番:
- NVH4L020N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、TO247−4LシリコンカーバイドMOSFET、N?チャンネル、1200 V、20 m?, TO247?4L
ON Semiconductor シリコンカーバイドパワーMOSFETは、102A、1200Vで動作します。車載オンボード充電器、 DC / DC コンバータの用途で使用できます。
AEC Q101 認定
製造部品承認プロセス対応
100%アバランシェ試験済み
低実効出力容量
製造部品承認プロセス対応
100%アバランシェ試験済み
低実効出力容量
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 102 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
| パッケージタイプ | TO-247-4 |
| シリーズ | NVH |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.028 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | SiC |
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