onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 102 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, NVH4L020N120SC1

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梱包形態
RS品番:
202-5735
メーカー型番:
NVH4L020N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

102A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

NVH

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

28mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

510W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

220nC

動作温度 Max

175°C

長さ

15.8mm

幅

5.2 mm

高さ

22.74mm

規格 / 承認

AEC-Q101 and PPAP Capable

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、TO247−4LシリコンカーバイドMOSFET、N?チャンネル、1200 V、20 m?, TO247?4L


ON Semiconductor シリコンカーバイドパワーMOSFETは、102A、1200Vで動作します。車載オンボード充電器、 DC / DC コンバータの用途で使用できます。

AEC Q101 認定

製造部品承認プロセス対応

100%アバランシェ試験済み

低実効出力容量

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