Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 11 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計：*

￥341,250.00

(税抜)

￥375,380.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月11日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000￥341.25￥341,250
2000 - 9000￥340.125￥340,125
10000 - 14000￥339.058￥339,058
15000 - 19000￥337.993￥337,993
20000 +￥336.925￥336,925

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
204-7241
メーカー型番:
SIHA125N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

SiHA125N60EF

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

179W

動作温度 Max

150°C

長さ

28.1mm

高さ

4.3mm

幅

9.7 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay EF シリーズパワー MOSFET （高速ボディダイオード付）は、第 4 世代 Eスイッチング損失及び導電損失を低減しています。

Vishay EF シリーズパワー MOSFET （高速ボディダイオード付）は、第 4 世代 Eスイッチング損失及び導電損失を低減しています。

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

低性能指数(FOM): Ron x Qg

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

低性能指数(FOM): Ron x Qg

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ