Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 8.4 A, 168 mΩ, 21 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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梱包形態
RS品番:
210-4963
メーカー型番:
SiHA186N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

EF

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

168mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

33W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

9.7mm

高さ

4.3mm

長さ

28.1mm

自動車規格

なし

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧600V、最大消費電力33W - SiHA186N60EF-GE3


このパワーMOSFETは、堅牢なドレインソース間性能とコンパクトなスルーホール実装が求められるスイッチング電源用途向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、標準ゲート電圧から駆動し、従来のヒートシンク配置に取り付けられ、600Vの遮断能力を必要とする設計に適しています。

特長:


• 600Vの定格により、電力段階での高電圧スイッチングが可能
• 8.4Aの連続ドレイン電流により、中程度の負荷電流に対応
• 168 mΩ Rds(on)により、動作電流での導通損失を低減
• 33Wの消費電力により、ヒートシンクで持続的な熱負荷を実現
• 21 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギー需要を実現
• 30V の最大ゲートドライブにより、一般的なゲートドライブ電圧を実現

用途


• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モーター駆動フロントエンドに最適
• 再生可能エネルギーインバータの電力変換に使用
• バラストやランプ制御回路の照明に使用可能
• 実験室およびプロトタイピングスルーホールアセンブリに最適

制御回路では、どのようなゲート電圧範囲を設計する必要がありますか?


ゲートドライブはソースに対して±30Vの制限内に保持し、標準的なスイッチングは最大30Vのゲート電圧によって駆動され、安全な動作を確保します。

熱管理は連続電流性能にどのように影響しますか?


連続ドレイン電流は、周囲への熱抵抗によって異なります

ヒートシンクを使用してジャンクション温度を150 °C未満に保つことで、定格8.4 Aの容量を維持します。

このデバイスは、特定の認証を必要とする自動車システムに適していますか?


自動車グレードの認証は取得していないため、自動車認証のコンポーネントが必須の場合は指定しないでください。

ゲート充電値により、どのようなスイッチング要件が発生しますか?


21 nCのゲート充電により、必要なドライバ電流とスイッチングトランジション時間を定義

スイッチング損失と移行速度をバランスさせるためのプレーンドライバサイズ設定が可能です。

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