Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 8.4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

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RS品番:
210-4962
メーカー型番:
SiHA186N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

EF

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

168mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

33W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

9.7mm

長さ

28.1mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

4.3mm

自動車規格

なし

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流8.4 A - SiHA186N60EF-GE3


このパワーMOSFETは、産業用電力制御および変換用に設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。スルーホールアセンブリで使用するエンハンスメントモードトランジスタとして機能し、幅広い温度範囲で持続的な動作を必要とする用途に適しています。

特長:


• 600 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 8.4 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート • 168 mΩ Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 21 nCの標準ゲート充電により、駆動エネルギー要件を最小限に抑制 • 33 Wの消費電力により、安定状態の熱処理が可能 • 過酷な熱条件に耐える150°Cの最高動作温度

用途


• 高電圧スイッチング電源に最適 • 産業用モータドライブゲートステージに最適 • 主電源周波数インバータ出力段に使用 • 力率補正回路に使用可能 • スルーホール取り付けを必要とするディスクリート電源アセンブリで使用

スイッチング制御に最適なゲート電圧範囲は?


このデバイスは、ゲートとソースの間で最大30 Vの電圧を受け入れるため、ゲート過負荷を避けるために、この範囲内のドライバステージを制限する必要があります。

パッケージの選択は、取り付けと熱管理にどのような影響を与えますか?


TO-220スルーホールパッケージは、ボルトダウンヒートシンクを容易にし、効果的な熱カップリングを実現するための簡単な基板実装を実現します。

どのような極端な周囲温度に耐えられますか?


-55°C~150°Cまで動作するため、広い熱出力を持つ環境での使用が可能です。

連続電流設計時に考慮すべき点は何ですか?


安全なジャンクション温度を維持するための適切なヒートシンクとサーマルパスを指定することで、8.4 Aの連続ドレイン電流と33 Wの消費電力を計算します。

ゲート充電はドライバの選択にどのように影響しますか?


21 nCの標準ゲート電荷は、ドライバ電流とスイッチング速度要件を決定し、必要な立ち上がり /立ち下がり時間を実現します。

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